日本大学 理工学部 電子工学科

第32回材料科学に関する若手フォーラムにおいて優秀発表賞を受賞

令和5年2月6日(月)に開催された先端材料科学センター主催の第32回材料科学に関する若手フォーラムにおいて、電子工学専攻・電子工学科の以下の5名の学生が優秀発表賞を受賞しました。
3分間のショートプレゼンテーションとポスター発表で、自身の研究をアピールし、他専攻・他学科の教員や学生と白熱した議論を行っていました。おめでとうございます。ますますのご活躍をお祈りします。

電子工学専攻 1年 新垣雅斗
「支持基板で発生した電荷がSOIデバイスの放射線照射効果に及ぼす影響」
電子工学科 4年 小林亮介
「単サイクルアニールによる(001)優先配向したL10-FePt連続膜作製への熱処理条件検討」
電子工学専攻 1年 清水雄太
「基板上に孤立した微小Fe/Pt薄膜への急速熱処理後の形成微粒子形状」
電子工学専攻 2年 野平真義
「自由電子レーザ照射によるSiO2/Si基板表面への周期的微細構造の生成」
電子工学専攻 1年 望月航介
「ポリイミド基板上に作製したNiFeMoスパッタ薄膜の誘導磁気異方性」

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